明天教你4个步调抉择一个适合的MOSFET。本文援用地点：第一步：选用N沟道仍是P沟道 为计划抉择准确器件的第一步是决议采取N沟道仍是P沟道MOSFET。在典范的功率利用中，当一个MOSFET接地，而负载衔接到支线电压上时，该MOSFET就形成了高压侧开关。在高压侧开关中，应采取N沟道MOSFET，这是出于对封闭或导通器件所需电压的斟酌。当MOSFET衔接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。平日会在这个拓扑中采取P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的斟酌。 要抉择合适利用的器件，必需断定驱动器件所需的电压，以及在计划中最浅易履行的方式。下一步是断定所需的额外电压，或许器件所能蒙受的最年夜电压。额外电压越年夜，器件的本钱就越高。依据实际教训，额外电压应该年夜于支线电压或总线电压。如许才干供给充足的维护，使MOSFET不会生效。就抉择MOSFET而言，必需断定漏极至源极间可能蒙受的最年夜电压，即最年夜VDS。晓得MOSFET能蒙受的最年夜电压会随温度而变更这点非常主要。计划职员必需在全部任务温度范畴内测试电压的变更范畴。额外电压必需有充足的余量笼罩这个变更范畴，确保电路不会生效。计划工程师须要斟酌的其余保险要素包含由开关电子装备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。第二步：断定额外电流第二步是抉择MOSFET的额外电流。视电路构造而定，该额外电流应是负载在全部情形下可能蒙受的最年夜电流。与电压的情形类似，计划职员必需确保所选的MOSFET能蒙受这个额外电流，即便在体系发生尖峰电流时。两个斟酌的电流情形是持续形式跟脉冲尖峰。在持续导通形式下，MOSFET处于稳态，此时电流持续经由过程器件。脉冲尖峰是指有大批电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦断定了这些前提下的最年夜电流，只要直接抉择能蒙受这个最年夜电流的器件便可。选好额外电流后，还必需盘算导通消耗。在现实情形下，MOSFET并不是幻想的器件，由于在导电进程中会有电能消耗，这称之为导通消耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所断定，并随温度而明显变更。器件的功率耗费可由Iload2×RDS(ON)盘算，因为导通电阻随温度变更，因而功率耗费也会随之按比例变更。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对体系计划职员来说，这就是取决于体系电压而须要折中衡量的处所。对便携式计划来说，采取较低的电压比拟轻易(较为广泛)，而对产业计划，可采取较高的电压。留神RDS(ON)电阻会跟着电流稍微回升。第三步：断定热请求抉择MOSFET的下一步是盘算体系的散热请求。计划职员必需斟酌两种差别的情形，即最坏情形跟实在情形。倡议采取针对最坏情形的盘算成果，由于这个成果供给更年夜的保险余量，能确保体系不会生效。在MOSFET的材料表上另有一些须要留神的丈量数据；比方封装器件的半导体结与情况之间的热阻，以及最年夜的结温。器件的结温即是最年夜情况温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最年夜情况温度+[热阻×功率耗散])。依据这个方程可解出体系的最年夜功率耗散，即按界说相称于I2×RDS(ON)。因为计划职员已断定将要经由过程器件的最年夜电流，因而能够盘算出差别温度下的RDS(ON)。值得留神的是，在处置简略热模子时，计划职员还必需斟酌半导体结/器件外壳及外壳/情况的热容量；即请求印刷电路板跟封装不会破即升温。第四步：决议开关机能 抉择MOSFET的最后一步是决议MOSFET的开关机能。影响开关机能的参数有良多，但最主要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中发生开关消耗，由于在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速率因而被下降，器件效力也降落。为盘算开关进程中器件的总消耗，计划职员必需盘算开明进程中的消耗(Eon)跟封闭进程中的消耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表白：Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关机能的影响最年夜。 申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->
