Home在4月10日报道说，韩国媒体Sedaily在4月8日发表了一篇博客文章，报道说，在新的美国关税政策的不确定性下，巨型存储巨头并没有放慢脚步，而是加快了他们在HBM3E市场的竞争。它指出了一篇博客文章，并报告说三星组织了HBM3E产品设计，并计划在今年4月将8H版本大规模地提供给Nvidia。韩国EBN的另一位媒体透露，如果预计三星的12层HBM3E的发展将在5月获得NVIDIA认证。 SK Hynix长期以来一直在领导HBM市场，但抓住了Micron。另一位韩国媒体SISA期刊指出，Micron在3月通过了12层HBM3E的验证，并开始交付以支持NVIDIA最新的B300产品。媒体审查了您认为，微米制造的总能力不如SK Hynix，即10nm级的1B高级帐户技术，其比例较高。这给微米带来了PR的优势起源质量，尤其是在HBM的基本热管理中。此外，巨型存储还加速了HBM4竞赛。三星计划在2025年之前实现HBM4质量生产，但是10nm 1c鼓的过程尚未老化，其目标也很困难。韩国商业以前曾指出，Micron希望在2026年推出HBM4，而2025年下半年制造的大多数HBM都将是12层产品。这两个巨人有自己的技术升级计划，将来的竞争将会更加激烈。
